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震惊！这会引起芯片内部出现eos烧毁

 

引言

 

某汽车电子水泵驱动控制单元出现失效，经定位分析为失效芯片的pin17、pin20管脚对地出现短路，现分析其失效原因。

 

测试分析

 

1 外观检查

 

对失效件上的ng芯片进行外观检查，发现ng芯片表面无明显裂纹，引脚处无明显连锡等异常。

 

2 半导体特性测试

 

对ng芯片进行在板的半导体特性测试，发现ng芯片主要表现为pin17（vddx2）、pin20(vdd)对pin19(vss2)短路，pin30 (vdda)对pin31(vssa)短路。（红线为失效芯片曲线，蓝线为ok芯片曲线）

 

图1 失效件上ng芯片管脚半导体特性

(蓝色为正常芯片，红色为失效芯片)

 

3 界面超声扫描

 

对失效件上的ng芯片进行界面超声扫描；扫描结果显示失效件上的ng芯片表面存在分层现象。

 

 

4 无损透视检查

 

利用x-ray观察失效芯片内部结构，观察结果显示芯片内部键合无明显异常，芯片粘接银浆无明显过高等异常现象。

 

图4 失效件上ng芯片无损透视检查形貌

 

5 ct扫描

 

对取下的ng芯片进行ct 3d扫描然后虚拟重构，扫描结果显示失效件上的ng芯片pin17管脚处有疑似异常，异常位置与界面超声扫描结果一致。

 

 

6 开封观察

 

为确认ng芯片内部是否有烧毁，对失效件的ng芯片及功能正常ecu上的ok芯片进行开封。

开封结果显示：

（1）失效件上的ng芯片存在烧毁，芯片烧毁的区域位于pin17~pin20，pin63管脚位置，pin17管脚定义为vddx2，pin20管脚定义为vdd、pin63为vssx1，烧毁位置与在板现象一致，即pin17、pin20对地短路。

（2）失效件上的ng芯片烧毁区域分散，且为vdd与vss之间，为eos烧毁的典型形貌。

 

图7 失效件上ng芯片表面形貌

 

7 模拟试验

 

前面分析可知芯片烧毁为eos过电烧毁，通过对ng芯片周边电路的分析可知，ng芯片出现eos烧毁可能的原因为：q4三极管饱和导通，ce极间压降为零点几伏。现对功能正常单板做以下模拟试验。

 

7.1 模拟试验1:

对芯片pin62、pin63之间进行上电模拟，发现当pin62(vddx1)、pin63（vssx1）之间电压达到14v时，直流电源输出电流急剧增加，q4三极管出现烧毁，测量芯片pin62与pin63之间出现了短路现象。

对模拟试验后芯片进行半导体特性测试及开封观察，半导体特性测试发现芯片模拟试验后pin17（vddx2）、pin20(vdd)与pin19(vss2)之间短路，与失效件的现象一致;开封观察发现模拟试验1后芯片烧毁区域与失效件上的芯片一致，形貌大致相同，说明失效件上的芯片为过电压烧毁。

 

图8 模拟试验1后芯片半导体特性

 

图9 模拟试验1后芯片开封形貌

 

对失效件上的q4三极管进行半导体特性测试及无损透检查发现：

（1）失效件上的q4三极管b-c管脚短路，且c-e管脚键合丝断裂，说明失效件上q4因过流导致的失效，因此推断q4失效的原因可能是m芯片由于过压烧毁后，导致导通的q4引脚流过大电流，最终导致q4失效。

（2）失效件上的q4进行开封观察，观察结果显示：q4三极管晶圆出现烧毁，键合丝断裂。

 

图10 失效件上的q4三极管半导体特性

 

 

图13 失效件上q4三极管开封形貌

 

7.2 模拟试验2:

由模拟试验1推断q4三极管饱和导通导致芯片pin62管脚出现过压，pin17（vddx2）、pin20(vdd)对pin19(vss2)短路烧毁，且芯片烧毁位置、形貌与失效件上的芯片基本一致，因此将功能正常ecu上q4的b-c管脚短接制造q4三极管饱和导通。

模拟结果显示：

（1）模拟后q4的键合丝断裂，晶圆烧毁形貌与失效件上q4基本一致，但管脚间的半导体特性与ng q4存在差异。

（2）芯片pin17（vddx2）、pin20(vdd)对pin19(vss2)短路，芯片烧毁区域与ng 芯片基本一致。

 

图14 正常ecu模拟试验2后q4半导体特性

 

图15 模拟试验2后芯片半导体特性

 

 

图18 模拟试验2后芯片开封形貌

 

结论

 

ng芯片失效的原因为芯片内部出现了eos烧毁，根本原因可能与ecu上q4三极管的出现异常饱和导通有关。

 

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简介

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